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Power MOS

技术简介

鼎泰匠芯提供完整的Trench MOSFET工艺平台和SGT(Shielded Gate Transistor,屏蔽栅沟槽)MOSFET工艺平台,主要用于中压和低压领域。 鼎泰匠芯 power MOS平台从2023年开始建立,采用业界最先进及主流的工艺,包括Taiko背面减薄工艺和特殊金属沉积工艺。已完成覆盖低压、中压的整套深沟槽(Deep Trench)+薄片(Thin Wafer)技术工艺的自主研发,技术参数可达到业界领先水平。 


应用

可广泛应用于消费类电子、工业控制和电动汽车等行业。